FDD86250 AAN
Beschikbaar
FDD86250 AAN
Functies
Afgeschermde poort MOSFET-technologie
Max rDs(aan)= 22 mo bij Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(aan)= 31 m bij Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL getest
Voldoet aan RoHS
Algemene beschrijving
Deze N-Channel MOSFET wordt geproduceerd met behulp van Fairchild Semiconductorsadvanced PowerTrenchproces dat Shielded Gate-technologie bevat. Dit proces is geoptimaliseerd voor de weerstand in de toestand en toch met behoud van superieure schakelprestaties.
Functies
Afgeschermde poort MOSFET-technologie
Max rDs(aan)= 22 mo bij Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(aan)= 31 m bij Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL getest
Voldoet aan RoHS
Algemene beschrijving
Deze N-Channel MOSFET wordt geproduceerd met behulp van Fairchild Semiconductorsadvanced PowerTrenchproces dat Shielded Gate-technologie bevat. Dit proces is geoptimaliseerd voor de weerstand in de toestand en toch met behoud van superieure schakelprestaties.
Zorg ervoor dat uw contactgegevens correct zijn. Jouw Bericht zal rechtstreeks naar de ontvanger(s) worden verzonden en zullen niet in het openbaar worden getoond. Wij zullen nooit uw persoonlijk informatie aan derden zonder uw uitdrukkelijke toestemming.