LM74610QDGKRQ1 TI

LM74610QDGKRQ1 TI
LM74610QDGKRQ1 TI
LM74610QDGKRQ1 TI
LM74610QDGKRQ1 TI
LM74610QDGKRQ1 TI

LM74610QDGKRQ1 TI

Beschikbaar
Om onderzoek te sturen
');*/ }); })
Productdetails
Onderzoek
LM74610QDGKRQ1 TI

• Gekwalificeerd voor toepassingen in de auto-industrie
• AEC-Q100 gekwalificeerd met de volgende resultaten: – Overtreft HBM ESD-classificatieniveau 2 – Apparaat CDM ESD-classificatieniveau C4B
• Maximale sperspanning van 45 V
• Geen positieve spanningsbeperking naar de anodeklem
• Driver voor laadpompgate voor externe N-kanaal MOSFET
• Lagere vermogensdissipatie dan Schottky-diode/PFET-oplossingen
• Lage omgekeerde lekstroom
• Nul IQ
• Snelle respons van 2 μs op omgekeerde polariteit
• -40°C tot +125°C omgevingstemperatuur
• Kan worden gebruikt in OK-toepassingen
• Voldoet aan CISPR25 EMI-specificatie
• Voldoet aan de vereisten voor ISO7637 transiënten in de auto-industrie met een geschikte TVS-diode
• Geen piekstroomlimiet
"); });

Tips voor het verkrijgen van nauwkeurige offertes van leveranciers. Alstublieft omvatten de volgende in uw vraag:
1. Persoonlijke of zakelijke informatie
2. Geef productaanvraag tot in detail op
3. Onderzoek voor MOQ, Eenheidsprijs, enz.

Zorg ervoor dat uw contactgegevens correct zijn. Jouw bericht zal rechtstreeks naar de ontvanger(s) worden verzonden en zullen niet openbaar worden weergegeven. Wij zullen uw persoonlijk informatie aan derden zonder uw uitdrukkelijke toestemming.

Verwante producten