MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST
MasterGaN1 ST

MasterGaN1 ST

Beschikbaar
Om onderzoek te sturen
');*/ }); })
Productdetails
Onderzoek
MasterGaN1 ST
 
  • 600 V system-in-package met integratie van half-bridge gate driver en hoogspanningsvermogen GaN-transistors:
    • QFN 9 x 9 x 1 mm verpakking
    • RDS(AAN)= 150 mΩ
    • IkDS (MAX)= 10 EEN
  • Mogelijkheid tot omgekeerde stroom
  • Geen omgekeerd herstelverlies
  • UVLO-bescherming aan lage en hoge zijde
  • Interne bootstrap-diode
  • In elkaar grijpende functie
  • Speciale pin voor afsluitfunctionaliteit
  • Nauwkeurige interne timingovereenkomst
  • 3,3 V tot 15 V compatibele ingangen met hysterese en pull-down
  • Bescherming tegen oververhitting
  • Vermindering van de stuklijst
  • Zeer compacte en vereenvoudigde lay-out
  • Flexibel, eenvoudig en snel ontwerp.


 
"); });

Tips voor het verkrijgen van nauwkeurige offertes van leveranciers. Alstublieft omvatten de volgende in uw vraag:
1. Persoonlijke of zakelijke informatie
2. Geef productaanvraag tot in detail op
3. Onderzoek voor MOQ, Eenheidsprijs, enz.

Zorg ervoor dat uw contactgegevens correct zijn. Jouw bericht zal rechtstreeks naar de ontvanger(s) worden verzonden en zullen niet openbaar worden weergegeven. Wij zullen uw persoonlijk informatie aan derden zonder uw uitdrukkelijke toestemming.

Verwante producten