NCD57080ADR2G AAN

NCD57080ADR2G ON
NCD57080ADR2G ON
NCD57080ADR2G ON
NCD57080ADR2G ON
NCD57080ADR2G ON

NCD57080ADR2G AAN

Beschikbaar
Om onderzoek te sturen
');*/ }); })
Productdetails
Onderzoek
NCD57080ADR2G AAN

• Hoge piekuitgangsstroom (+6,5 A/−6,5 A)
• Lage klemspanningsval elimineert de noodzaak van negatieve voeding om valse gate-inschakeling te voorkomen (versie A)
• Korte voortplantingsvertragingen met nauwkeurige afstemming
• IGBT/MOSFET Gate klemmen tijdens kortsluiting
• IGBT/MOSFET Gate Actieve Pull Down
• Strakke UVLO-drempels voor biasflexibiliteit
• Breed bias-spanningsbereik inclusief negatieve VEE2 (versie B)
• Logische ingang van 3,3 V, 5 V en 15 V
• 3,75 kVRMS VISO (I−O) (om te voldoen aan de UL1577-vereisten)
• Veiligheids- en wettelijke goedkeuringen:
♦ UL1577 gecertificeerd, 3750 VACRMS gedurende 1 minuut
♦ DIN VDE V 0884−11 certificering in behandeling, 870 VPK werkende isolatiespanning
• Hoge voorbijgaande immuniteit
• Hoge elektromagnetische immuniteit
• NCV-voorvoegsel voor auto's en andere toepassingen die unieke vereisten voor locatie- en besturingswijzigingen vereisen; AEC−Q100 gekwalificeerd en PPAP-compatibel
• Deze apparaten zijn Pb-vrij, halogeenvrij/BFR-vrij en voldoen aan RoHS
"); });

Tips voor het verkrijgen van nauwkeurige offertes van leveranciers. Alstublieft omvatten de volgende in uw vraag:
1. Persoonlijke of zakelijke informatie
2. Geef productaanvraag tot in detail op
3. Onderzoek voor MOQ, Eenheidsprijs, enz.

Zorg ervoor dat uw contactgegevens correct zijn. Jouw bericht zal rechtstreeks naar de ontvanger(s) worden verzonden en zullen niet openbaar worden weergegeven. Wij zullen uw persoonlijk informatie aan derden zonder uw uitdrukkelijke toestemming.

Verwante producten