NTMFS4D2N10MDT1G AAN
Beschikbaar |
NTMFS4D2N10MDT1G AAN
• Afgeschermde poort MOSFET-technologie
• Lage RDS(aan) om geleidingsverliezen te minimaliseren
• Lage QG en capaciteit om driververliezen te minimaliseren
• Lage QRR, zachte Recovery Body Diode
• Lage QOSS om de efficiëntie van lichte belasting te verbeteren
• Deze apparaten zijn Pb-vrij, halogeenvrij/BFR-vrij, berylliumvrij en voldoen aan RoHS
• Afgeschermde poort MOSFET-technologie
• Lage RDS(aan) om geleidingsverliezen te minimaliseren
• Lage QG en capaciteit om driververliezen te minimaliseren
• Lage QRR, zachte Recovery Body Diode
• Lage QOSS om de efficiëntie van lichte belasting te verbeteren
• Deze apparaten zijn Pb-vrij, halogeenvrij/BFR-vrij, berylliumvrij en voldoen aan RoHS
Zorg ervoor dat uw contactgegevens correct zijn. Jouw Bericht zal rechtstreeks naar de ontvanger(s) worden verzonden en zullen niet in het openbaar worden getoond. Wij zullen nooit uw persoonlijk informatie aan derden zonder uw uitdrukkelijke toestemming.